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Halbleiter-Bauelemente
Galliumnitrid (GaN)
mobility transistor (HEMT)" entwickelt, welche auf Grundlage eines 2-dimensionalen Elektronen Gas (2DEG) funktioniert. Die Entstehung des 2DEG beruht auf einer Kristallgitterverspannung und piezoelektrischer [...] cher Polarisation an einer AlGaN/GaN Heteroepitaxieschicht. Durch das 2DEG, anstelle des konventionellen Kanalgebietes (z.B. bei MOSFETs), sind weitere Steigerungen der Stromtragfähigkeit, Energiedichte …