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EWA
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Forschung
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Publikationen
Konferenz- und Jouernalbeiträge
Nottingham, 2018, doi: 10.1109/ESARS-ITEC.2018.8607785 Oeder, T. ; Pfost, M. : Einfluss akkumulierter Ladung auf das transiente Verhalten bei p-Gate GaN HEMTs , Halbleiterkolloquium, Freiburg, 10.2018 Lange [...] Alexandroupoli, 09.2018, doi: 10.1109/ICELMACH.2018.8506877 Unger, C. ; Pfo st, M. : Influence of the Off-State Gate-Source Voltage on the Transient Drain Current Response in SiC MOSFETs , ISPSD2018 - The 30th [...] stress aging of GaN GITs , Reliability Physics Symposium (IRPS), 2018 IEEE International, Burlingame, CA, USA, 03.2018, doi: 10.1109/IRPS.2018.8353593 Ebli, M.; Hackel J.; Pfost, M. : A Novel Gate Driving …